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GermanyNTMFD4C85NT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMFD4C85NT1G
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详情
MOSFET - 阵列 30V 15.4A，29.7A 1.13W 表面贴装型 8-DFN（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.4A，29.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
32nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1960pF @ 15V
功率 - 最大值
1.13W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
基本产品编号
NTMFD4
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTMFD4C85NT1GOSTR
2156-NTMFD4C85NT1G-ONTR-ND
2156-NTMFD4C85NT1G
NTMFD4C85NT1G-ND
ONSONSNTMFD4C85NT1G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTMFD4C85NT1G
相关文档
规格书
1(NTMFD4C85N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(3Q Mult Dev EOL 9/Nov/2017)
PCN 组装/来源
1(NTMF/NTTF 27/Jan/2017)
价格
-
替代型号
型号 : BSC0921NDIATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 24,948
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似
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