English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDP2D3N10C
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP2D3N10C
摘要
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 222A（Tc） 214W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
222A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11180 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP2D3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FDP2D3N10C-OS
ONSONSFDP2D3N10C
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP2D3N10C
相关文档
规格书
1(FDP2D3N10C, FDPF2D3N10C)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T 17/Jun/2021)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA 模型
1(FDP2D3N10C by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $28.28901
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $29.37704
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $33.72922
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $38.7343
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $46.785
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $51.75
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-