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GermanyTP89R103NL,LQ
元器件型号详细信息
原厂型号
TP89R103NL,LQ
摘要
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 15A（Tc） 1W（Tc） 8-SOP
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.1 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
820 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
TP89R103
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TP89R103NLLQCT
TP89R103NLLQTR
TP89R103NLLQDKR-ND
TP89R103NL,LQ(S
264-TP89R103NL,LQCT
264-TP89R103NL,LQTR
264-TP89R103NL,LQDKR
TP89R103NLLQDKR
TP89R103NLLQTR-ND
TP89R103NLLQCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TP89R103NL,LQ
相关文档
规格书
1(TP89R103NL)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
1(TP89R103NL by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $2.33603
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1
单价: $5.25
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.25
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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