IPD60R750E6BTMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD60R750E6BTMA1

摘要

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 5.7A（Tc） 48W（Tc） PG-TO252-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ E6

包装

卷带（TR）

产品状态

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

750 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 170µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17.2 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

373 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

48W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD60R

其它名称

2156-IPD60R750E6BTMA1

INFINFIPD60R750E6BTMA1

IPD60R750E6CT

IPD60R750E6

IPD60R750E6BTMA1TR

IPD60R750E6DKR

IPD60R750E6DKR-ND

IPD60R750E6-ND

IPD60R750E6CT-ND

IPD60R750E6TR-ND

SP000801094

IPD60R750E6BTMA1DKR

IPD60R750E6BTMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R750E6BTMA1

价格

数量: 12500

单价: $4.12856
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $4.28983
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $4.51561
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1

单价: $10.65
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.65
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPD60R950C6ATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 直接

型号 : FCD850N80Z

制造商 : onsemi
库存 : 15
单价. : ¥20.11000
替代类型. : 直接

型号 : STD10N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似

型号 : FCD900N60Z

制造商 : onsemi
库存 : 2,272
单价. : ¥13.44000
替代类型. : 类似

型号 : STP10NK60Z

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 300
单价. : ¥27.51000
替代类型. : 类似

型号 : STD9N60M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥11.69000
替代类型. : 类似

型号 : STB7ANM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 151
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似

H050X044F1T HDWM-40-57-S-D-530-SM HW-17-11-H-S-290-SM 252111523 TVS06RK-25-19SC

IPD60R750E6BTMA1

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