English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRL640S
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL640S
摘要
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 10A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
66 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRL640
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix IRL640S
相关文档
规格书
1(IRL640S,SiHL640S)
HTML 规格书
1(IRL640S,SiHL640S)
EDA 模型
1(IRL640S by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IRL640SPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 155
单价. : ¥18.28000
替代类型. : 参数等效
库存 : 155
单价. : ¥18.28000
替代类型. : 参数等效
型号 : STB19NF20
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
型号 : RCJ160N20TL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,000
单价. : ¥14.15000
替代类型. : 类似
库存 : 1,000
单价. : ¥14.15000
替代类型. : 类似
型号 : IRF640NSTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 49,110
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 类似
库存 : 49,110
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 类似
型号 : FQB19N20LTM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥13.51000
替代类型. : 类似
型号 : FQB19N20TM
制造商 : onsemi
库存 : 743
单价. : ¥16.38000
替代类型. : 类似
库存 : 743
单价. : ¥16.38000
替代类型. : 类似
型号 : FQB19N20CTM
制造商 : onsemi
库存 : 548
单价. : ¥12.00000
替代类型. : 类似
库存 : 548
单价. : ¥12.00000
替代类型. : 类似