元器件型号详细信息

原厂型号
FA38SA50LC
摘要
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
详情
底座安装 N 通道 500 V 38A(Tc) 500W(Tc) SOT-227
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10

技术参数

制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
130 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
420 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
基本产品编号
FA38

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

*FA38SA50LC
VSFA38SA50LC-ND
VS-FA38SA50LC
VSFA38SA50LC
VS-FA38SA50LC-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay General Semiconductor - Diodes Division FA38SA50LC

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规格书
1(FA38SA50LC)
HTML 规格书
1(FA38SA50LC)

价格

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