元器件型号详细信息

原厂型号
TK6P65W,RQ
摘要
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 5.8A(Ta) 60W(Tc) DPAK
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.05 欧姆 @ 2.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
390 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
60W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
TK6P65

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TK6P65W,RQ(S
TK6P65WRQDKR
TK6P65WRQCT
TK6P65WRQTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK6P65W,RQ

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规格书
1(TK6P65W)
特色产品
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EDA 模型
1(TK6P65W by Ultra Librarian)

价格

数量: 2000
单价: $4.72129
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $5.05852
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
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