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GermanyNTB25P06T4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTB25P06T4G
摘要
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 27.5A（Ta） 120W（Tj） D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
68 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
82 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1680 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NTB25
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTB25P06T4GOS
NTB25P06T4GOSTR
NTB25P06T4GOSCT
NTB25P06T4GOS-ND
ONSONSNTB25P06T4G
2156-NTB25P06T4G-OS
NTB25P06T4GOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTB25P06T4G
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环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
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HTML 规格书
1(NTB25P06)
价格
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