English
Spain
Rusia
Italy
GermanySPP18P06PHXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPP18P06PHXKSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
详情
通孔 P 通道 60 V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 13.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
860 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
81.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP18P06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPP18P06P G-ND
IFEINFSPP18P06PHXKSA1
SPP18P06P H
SPP18P06PH
2156-SPP18P06PHXKSA1
SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P H-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP18P06PHXKSA1
相关文档
规格书
1(SPP18P06P H)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $5.35308
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.49396
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $5.70526
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.12786
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $7.39566
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.0013
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.201
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.48
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-