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GermanyIRF5810TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF5810TRPBF
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.9A 960mW 表面贴装型 6-TSOP
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
650pF @ 16V
功率 - 最大值
960mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
基本产品编号
IRF58
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
IRF5810TRPBFTR
SP001574802
IRF5810TRPBF-ND
IRF5810TRPBFCT
IRF5810TRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRF5810TRPBF
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价格
-
替代型号
-