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GermanySIHD1K4N60E-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHD1K4N60E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 4.2A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.45 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
172 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
63W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
SIHD1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHD1K4N60E-GE3DKR
SIHD1K4N60E-GE3DKR-ND
SIHD1K4N60E-GE3TR-ND
SIHD1K4N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHD1K4N60E-GE3CT
SIHD1K4N60E-GE3CT-ND
SIHD1K4N60E-GE3TR
SIHD1K4N60E-GE3CTINACTIVE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3
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规格书
1(SIHD1K4N60E)
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