元器件型号详细信息

原厂型号
TPN2R304PL,L1Q
摘要
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 80A(Tc) 630mW(Ta),104W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1)
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIX-H
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3600 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
630mW(Ta),104W(Tc)
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance(3.1x3.1)
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPN2R304

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TPN2R304PLL1QTR
TPN2R304PLL1QCT
TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PLL1QDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL,L1Q

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规格书
1(TPN2R304PL)
特色产品
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1(TPN2R304PL by Ultra Librarian)

价格

数量: 25000
单价: $2.56933
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 10000
单价: $2.63694
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $2.73836
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $2.94123
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.24547
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.05684
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.1317
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.694
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1

替代型号

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