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GermanyAPT102GA60B2
元器件型号详细信息
原厂型号
APT102GA60B2
摘要
IGBT 600V 183A 780W TO247
详情
IGBT PT 600 V 183 A 780 W 通孔
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
POWER MOS 8™
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
183 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
307 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，62A
功率 - 最大值
780 W
开关能量
1.354mJ（开），1.614mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
294 nC
25°C 时 Td（开/关）值
28ns/212ns
测试条件
400V，62A，4.7 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
基本产品编号
APT102
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microchip Technology APT102GA60B2
相关文档
规格书
1(APT102GA60(B2,L))
环保信息
()
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APT102GA60(B2,L))
价格
-
替代型号
型号 : IXXX100N60C3H1
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥185.65933
替代类型. : 类似
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