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GermanyIRFHM8235TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFHM8235TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 16A（Ta） 3W（Ta），30W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1040 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3），Power33
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFHM8235TRPBFCT
IRFHM8235TRPBFTR
SP001556558
IRFHM8235TRPBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFHM8235TRPBF
相关文档
规格书
1(IRFHM8235(TR)PBF)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 08/May/2019)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Transfer 15/Oct/2014)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRFHM8235(TR)PBF)
仿真模型
1(IRFHM8235PBF Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : BSZ060NE2LSATMA1
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