元器件型号详细信息

原厂型号
HN1C03FU-B,LF
摘要
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN(双) 20V 300mA 30MHz 200mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
晶体管类型
2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
300mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
100mV @ 3mA,30A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
350 @ 4mA,2V
功率 - 最大值
200mW
频率 - 跃迁
30MHz
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
HN1C03

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

HN1C03FU-B,LF(B
HN1C03FU-B,LF(T
HN1C03FU-BLFDKR
HN1C03FU-BLFTR
HN1C03FU-BLFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03FU-B,LF

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规格书
1(HN1C03FU)
EDA 模型
1(HN1C03FU-B,LF by Ultra Librarian)

价格

数量: 150000
单价: $0.35948
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 75000
单价: $0.37026
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.41759
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.44543
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $0.50112
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $0.55679
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $0.64034
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $0.83518
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.2608
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.226
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.02
包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1

替代型号

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