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GermanyTPCC8006-H(TE12LQM
元器件型号详细信息
原厂型号
TPCC8006-H(TE12LQM
摘要
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 22A（Ta） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVI-H
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2200 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
700mW（Ta），27W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘
基本产品编号
TPCC8006
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TPCC8006-H(TE12LQMDKR
TPCC8006-H(TE12LQMCT
TPCC8006-H(TE12LQMTR
TPCC8006HTE12LQM
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8006-H(TE12LQM
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规格书
()
PCN 产品变更/停产
1(EOL 08/Nov/2013)
HTML 规格书
()
价格
-
替代型号
型号 : TPN8R903NL,LQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 8,938
单价. : ¥5.88000
替代类型. : 直接
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制造商 : STMicroelectronics
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