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GermanyDMG1013UWQ-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG1013UWQ-13
摘要
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta） SOT-323
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.62 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323
基本产品编号
DMG1013
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
31-DMG1013UWQ-13TR
31-DMG1013UWQ-13DKR
31-DMG1013UWQ-13CT
DMG1013UWQ-13-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG1013UWQ-13
相关文档
规格书
1(DMG1013UWQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 04/Dec/2020)
HTML 规格书
1(DMG1013UWQ)
价格
数量: 100000
单价: $0.35376
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
型号 : DMG1013UWQ-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,975
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥2.94000
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