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GermanyVS-GT200TP065N
元器件型号详细信息
原厂型号
VS-GT200TP065N
摘要
IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK
详情
IGBT 模块 沟道 半桥 650 V 221 A 600 W 底座安装 INT-A-PAK
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟道
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
221 A
功率 - 最大值
600 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.12V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
60 µA
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
INT-A-Pak
供应商器件封装
INT-A-PAK
基本产品编号
GT200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200TP065N
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HTML 规格书
1(VS-GT200TP065N)
价格
-
替代型号
-