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GermanyBSS83PE6327
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS83PE6327
摘要
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
78 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSS83PE6327XTINCT-ND
BSS83PE6327XT
SP000012075
BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327INTR
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINTR-ND
BSS83PE6327INCT-NDR
BSS83PE6327INTR-NDR
BSS83PE6327XTINTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSS83PE6327
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HTML 规格书
1(BSS83P)
价格
-
替代型号
型号 : BSS83PH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 参数等效
型号 : 2N7002KT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BSH201,215
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 23,344
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.42000
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型号 : 2SJ168TE85LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 17,291
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥7.15000
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