FDB16AN08A0

元器件型号详细信息

原厂型号

FDB16AN08A0

摘要

MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 75 V 9A（Ta），58A（Tc） 135W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

46 周

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

75 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A（Ta），58A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

16 毫欧 @ 58A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

42 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1857 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

135W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FDB16AN08

其它名称

FDB16AN08A0-ND

FDB16AN08A0CT

FDB16AN08A0DKR

FDB16AN08A0TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB16AN08A0

价格

数量: 800

单价: $13.93598
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800

数量: 100

单价: $16.9619
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $21.107
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $23.53
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $16.9619
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $21.107
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $23.53
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : PSMN005-75B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,800
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 直接

型号 : PSMN012-80BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,000
单价. : ¥13.04000
替代类型. : 类似

型号 : IRF3007STRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 580
单价. : ¥23.61000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN008-75B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 770
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN017-80BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 214
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似

型号 : IRFS3806TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 22,460
单价. : ¥11.21000
替代类型. : 类似

TAP476M025SCS 115-93-640-41-003000 TLE7232GXUMA1 CBR06C608BAGAC C0603X332K2REC7867

FDB16AN08A0

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