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GermanyVS-FC80NA20
元器件型号详细信息
原厂型号
VS-FC80NA20
摘要
MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
详情
底座安装 N 通道 200 V 108A（Tc） 405W（Tc） SOT-227
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
108A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
161 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10720 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
405W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
FC80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC80NA20
相关文档
规格书
1(VS-FC80NA20)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev OBS 19/Jun/2020)
PCN 设计/规格
1(Ink to Laser 03/Feb/2016)
HTML 规格书
1(VS-FC80NA20)
价格
-
替代型号
型号 : IXFN140N20P
制造商 : IXYS
库存 : 66
单价. : ¥234.68000
替代类型. : 类似
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