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GermanyNTBGS4D1N15MC
元器件型号详细信息
原厂型号
NTBGS4D1N15MC
摘要
MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 20A（Ta），185A（Tc） 3，7W（Ta），316W（Tc） D2PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4，1毫欧 @ 104A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4，5V @ 574µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
88.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7285 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3，7W（Ta），316W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
基本产品编号
NTBGS4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTBGS4D1N15MC
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规格书
1(NTBGS4D1N15MC)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 23/Jun/2022)
价格
数量: 2400
单价: $24.88025
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $26.18976
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 800
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : NVBGS4D1N15MC
制造商 : onsemi
库存 : 396
单价. : ¥145.08000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥145.08000
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