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GermanyCSD25501F3
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD25501F3
摘要
MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-LGA（0.73x0.64）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
FemtoFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
76 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
385 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-LGA（0.73x0.64）
封装/外壳
3-XFLGA
基本产品编号
CSD25501
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
CSD25501F3-ND
296-51017-6
296-51017-1
296-51017-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD25501F3
相关文档
规格书
1(CSD25501F3 Datasheet)
制造商产品页面
1(CSD25501F3 Specifications)
HTML 规格书
1(CSD25501F3 Datasheet)
价格
数量: 75000
单价: $0.57511
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.64147
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.68571
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $0.75207
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $0.79631
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1
单价: $3.42
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.42
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : CSD25501F3T
制造商 : Texas Instruments
库存 : 23,388
单价. : ¥7.08000
替代类型. : 参数等效
库存 : 23,388
单价. : ¥7.08000
替代类型. : 参数等效