元器件型号详细信息

原厂型号
IRLZ24NPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB
详情
通孔 N 通道 55 V 18A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
480 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
45W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRLZ24

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

*IRLZ24NPBF
SP001553022

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRLZ24NPBF

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HTML 规格书
1(IRLZ24NPbF)
EDA 模型
1(IRLZ24NPBF by Ultra Librarian)

价格

数量: 10000
单价: $3.31639
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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