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GermanyEPC2106ENGRT
元器件型号详细信息
原厂型号
EPC2106ENGRT
摘要
GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
详情
MOSFET - 阵列 100V 1.7A 表面贴装型 模具
原厂/品牌
EPC
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
EPC
系列
eGaN®
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
技术
GaNFET（氮化镓）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 2A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.73nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
基本产品编号
EPC210
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
其它名称
917-EPC2106ENGRTR
917-EPC2106ENGRCT
917-EPC2106ENGRDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/EPC EPC2106ENGRT
相关文档
规格书
1(EPC2106)
视频文件
()
环保信息
1(EPC RoHS & Halogen Cert)
参考设计库
1(EPC9055: 3A, 0 ~ 100V, Half H-Bridge Driver)
PDC 图片（仅限内部）
1(EPC2106ENGRT-Top-View)
HTML 规格书
1(EPC2106)
价格
-
替代型号
-