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GermanyIXFY8N65X2
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFY8N65X2
摘要
MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 8A（Tc） 150W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
70
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X2
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IXFY8N65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFY8N65X2
相关文档
规格书
()
环保信息
1(Ixys IC REACH)
特色产品
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML 规格书
1(IXF(Y,A,P)8N65X2)
价格
-
替代型号
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单价. : ¥12.64000
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