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GermanyIRL530NSPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL530NSPBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），79W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001573934
*IRL530NSPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRL530NSPBF
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规格书
1(IRL530NS/L)
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产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRL530NS Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
()
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 零件状态变更
1(Pkg Type Disc 16/May/2016)
仿真模型
1(IRL530NS Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : 94-2310
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : IRL530STRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
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单价. : ¥9.48018
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