最后更新
20250503
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
IRLSL4030PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLSL4030PBF
摘要
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
详情
通孔 N 通道 100 V 180A(Tc) 370W(Tc) TO-262
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.3 毫欧 @ 110A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
130 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11360 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
370W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-262
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
基本产品编号
IRLSL4030
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-IRLSL4030PBF
IRLSL4030PBF-ND
SP001558626
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRLSL4030PBF
相关文档
规格书
1(IRLS(L)4030PBF)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRLS4030PBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(IRFyyy Device Wafer Fab Transfer 5/Jun/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRLS(L)4030PBF)
仿真模型
1(IRLS4030PBF Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $18.20067
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $19.15863
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.71668
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $26.6854
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $32.571
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $36.25
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-
相似型号
MTMM-103-06-T-S-002
M55342H12B3H32PT1
TMM-103-02-G-Q
HW-25-16-H-S-375-SM
KNP7WSJB-91-27R