IPT020N10N3ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPT020N10N3ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

300A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2毫欧 @ 150A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 272µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

156 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

11200 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

375W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-HSOF-8-1

封装/外壳

8-PowerSFN

基本产品编号

IPT020

其它名称

IPT020N10N3ATMA1CT

IPT020N10N3

IPT020N10N3ATMA1TR

-IPT020N10N3ATMA1

SP001100160

IPT020N10N3ATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1

价格

数量: 2000

单价: $38.38976
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000

数量: 1000

单价: $39.8663
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $45.77236
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $52.5648
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $63.488
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $70.28
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $39.8663
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $45.77236
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $52.5648
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $63.488
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $70.28
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FDBL0210N80

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : FDBL86062-F085

制造商 : onsemi
库存 : 4,504
单价. : ¥56.36000
替代类型. : 类似

CIM21U101NE 842-032-558-104 RN73H1JTTD2432F10 D38999/20LH35PN-LC VJ0603Q470GEAAO

IPT020N10N3ATMA1

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