元器件型号详细信息

原厂型号
BSO150N03
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
详情
MOSFET - 阵列 30V 7.6A 1.4W 表面贴装型 PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15 毫欧 @ 9.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1890pF @ 15V
功率 - 最大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
PG-DSO-8
基本产品编号
BSO150

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

BSO150N03FUMA1
BSO150N03INDKR
BSO150N03INTR
SP000077687
BSO150N03-ND
INFINFBSO150N03
2156-BSO150N03-ITTR
BSO150N03INCT
BSO150N03XT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSO150N03

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价格

-

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