元器件型号详细信息

原厂型号
RN4989(TE85L,F)
摘要
NPN + PNP BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz,200MHz 200mW 表面贴装型 US6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基极 (R1)
47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)
22 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
70 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
250MHz,200MHz
功率 - 最大值
200mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
US6
基本产品编号
RN4989

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

264-RN4989(TE85LF)CT
264-RN4989(TE85LF)DKR
264-RN4989(TE85LF)TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列,预偏置/Toshiba Semiconductor and Storage RN4989(TE85L,F)

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1(RN4989)

价格

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