English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPD06N03LB G
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD06N03LB G
摘要
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2800 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD06N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD06N03LB G-ND
SP000016411
IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINTR
IPD06N03LBGINCT
IPD06N03LBGINDKR
IPD06N03LBGXT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD06N03LB G
相关文档
规格书
1(IPD06N03LBG)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 04/Jun/2009)
HTML 规格书
1(IPD06N03LBG)
价格
-
替代型号
型号 : IPD060N03LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,827
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接
库存 : 3,827
单价. : ¥7.87000
替代类型. : 直接
型号 : DMG8880LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : AOD514
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 14,263
单价. : ¥4.13000
替代类型. : 类似
库存 : 14,263
单价. : ¥4.13000
替代类型. : 类似
型号 : STD100N3LF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 489
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似
库存 : 489
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似