IGN1011L70

元器件型号详细信息

原厂型号

IGN1011L70

摘要

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

详情

RF Mosfet 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2

原厂/品牌

Integra Technologies Inc.

原厂到货时间

4 周

EDA/CAD 模型

标准包装

15

供应商库存

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技术参数

制造商

Integra Technologies Inc.

系列

-

包装

散装

产品状态

在售

技术

GaN HEMT

频率

1.03GHz ~ 1.09GHz

增益

22dB

电压 - 测试

50 V

额定电流（安培）

-

噪声系数

-

电流 - 测试

22 mA

功率 - 输出

80W

电压 - 额定

120 V

安装类型

底座安装

封装/外壳

PL32A2

供应商器件封装

PL32A2

其它名称

2251-IGN1011L70

EAR99

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/RF FET，MOSFET/Integra Technologies Inc. IGN1011L70

价格

数量: 1

单价: $1764.81
包装: 散装
最小包装数量: 1

替代型号

-

ELXH23500E CP30700G RN73H1ETTP2871B50 REC8-483.3SRW/H2/A/M/SMD-R 150040RS73240

IGN1011L70

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