元器件型号详细信息

原厂型号
BUK962R1-40E,118
摘要
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 120A(Tc) 293W(Tc) D2PAK
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
87.8 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13160 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
293W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
BUK96

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

568-10249-2
934066441118
BUK962R1-40E,118-ND
568-10249-1
2156-BUK962R1-40E118-NXTR
NEXNXPBUK962R1-40E,118
568-10249-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. BUK962R1-40E,118

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规格书
1(BUK962R1-40E)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(BUK962R1-40E)

价格

-

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