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GermanySIDC30D120H8X1SA4
元器件型号详细信息
原厂型号
SIDC30D120H8X1SA4
摘要
DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
详情
二极管 1200 V 50A 表面贴装型 带箔切割晶片
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
50A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.97 V @ 50 A
速度
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
27 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
带箔切割晶片
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C
基本产品编号
SIDC30D
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Infineon Technologies SIDC30D120H8X1SA4
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规格书
1(SIDC30D120H8)
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HTML 规格书
1(SIDC30D120H8)
价格
-
替代型号
-