English
Spain
Rusia
Italy
GermanyDMN67D8LDW-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN67D8LDW-13
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
详情
MOSFET - 阵列 60V 230mA 320mW 表面贴装型 SOT-363
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.82nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22pF @ 25V
功率 - 最大值
320mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
基本产品编号
DMN67
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN67D8LDW-13
相关文档
规格书
1(DMN67D8LDW)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Assembly REV 07/Sep/2021)
价格
数量: 100000
单价: $0.41019
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 50000
单价: $0.41966
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 30000
单价: $0.4733
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
数量: 10000
单价: $0.50485
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 10000
替代型号
-