English
Spain
Rusia
Italy
GermanyAPTGV50H60BT3G
元器件型号详细信息
原厂型号
APTGV50H60BT3G
摘要
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
详情
IGBT 模块 NPT，沟槽型场截止 升压斩波器，全桥 600 V 65 A 250 W 底座安装 SP3
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
IGBT 类型
NPT，沟槽型场截止
配置
升压斩波器，全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
65 A
功率 - 最大值
250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.45V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2.2 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
基本产品编号
APTGV50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
150-APTGV50H60BT3G
APTGV50H60BT3G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Microsemi Corporation APTGV50H60BT3G
相关文档
环保信息
()
价格
-
替代型号
-