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GermanySIZ920DT-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIZ920DT-T1-GE3
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
详情
MOSFET - 阵列 30V 40A 39W，100W 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.1 毫欧 @ 18.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1260pF @ 15V
功率 - 最大值
39W，100W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（6x5）
基本产品编号
SIZ920
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIZ920DT-T1-GE3TR
SIZ920DT-T1-GE3DKR
SIZ920DTT1GE3
SIZ920DT-T1-GE3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SIZ920DT)
特色产品
1(PowerPAIR®)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 15/Sep/2017)
PCN 组装/来源
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(SIZ920DT)
价格
-
替代型号
型号 : SIZ998DT-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 14,850
单价. : ¥12.24000
替代类型. : 直接
库存 : 14,850
单价. : ¥12.24000
替代类型. : 直接