元器件型号详细信息

原厂型号
IRFS7530PBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
管件
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
411 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13703 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IRFS7530PBF
INFINFIRFS7530PBF
SP001552334

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRFS7530PBF

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1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
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PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRF(B,S,SL)7530PbF)
仿真模型
1(IRFB7530 Spice Model)

价格

-

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