元器件型号详细信息

原厂型号
FGH15T120SMD-F155
摘要
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 333 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V,15A
功率 - 最大值
333 W
开关能量
1.15mJ(开),460µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
128 nC
25°C 时 Td(开/关)值
32ns/490ns
测试条件
600V,15A,34 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
72 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH15

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FGH15T120SMD_F155
FGH15T120SMD_F155-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH15T120SMD-F155

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规格书
1(FGH15T120SMD)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
HTML 规格书
1(FGH15T120SMD)
EDA 模型
1(FGH15T120SMD-F155 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : NGTB15N120IHRWG
制造商 : onsemi
库存 : 15
单价. : ¥27.98000
替代类型. : 类似
型号 : IKW15N120H3FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 645
单价. : ¥56.13000
替代类型. : 类似
型号 : STGW15M120DF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥33.71262
替代类型. : 类似
型号 : STGWA15M120DF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥26.31258
替代类型. : 类似
型号 : STGW15H120DF2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥29.73000
替代类型. : 类似
型号 : IGW15N120H3FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 443
单价. : ¥41.98000
替代类型. : 类似
型号 : IKW15T120FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 277
单价. : ¥32.20000
替代类型. : 类似
型号 : IXYH20N120C3D1
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥104.06000
替代类型. : 类似
型号 : IXYH20N120C3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥46.51700
替代类型. : 类似
型号 : STGWA15S120DF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IXGH15N120B
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IXGH15N120CD1
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IGW15T120FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 235
单价. : ¥37.13000
替代类型. : 类似
型号 : IHW15N120R3FKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 240
单价. : ¥31.24000
替代类型. : 类似