元器件型号详细信息

原厂型号
TPH3208LS
摘要
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 20A(Tc) 96W(Tc) 3-PQFN(8x8)
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Transphorm
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
130 毫欧 @ 13A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
760 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
96W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
3-PQFN(8x8)
封装/外壳
3-PowerDFN

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Transphorm TPH3208LS

相关文档

规格书
1(TPH3208L Series)
产品培训模块
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
视频文件
()
PCN 产品变更/停产
()
HTML 规格书
1(TPH3208L Series)

价格

-

替代型号

型号 : TP65H070LDG
制造商 : Transphorm
库存 : 0
单价. : ¥104.30000
替代类型. : 类似
型号 : TPH3208LDG
制造商 : Transphorm
库存 : 150
单价. : ¥85.94000
替代类型. : 参数等效