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GermanySIRB40DP-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIRB40DP-T1-GE3
摘要
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
详情
MOSFET - 阵列 40V 40A（Tc） 46.2W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
88 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.25 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4290pF @ 20V
功率 - 最大值
46.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号
SIRB40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIRB40DP-T1-GE3CT
SIRB40DP-T1-GE3TR
SIRB40DP-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3
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规格书
1(SIRB40DP)
HTML 规格书
1(SIRB40DP)
EDA 模型
1(SIRB40DP-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $4.73297
包装: 卷带（TR）
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替代型号
型号 : HP8K24TB
制造商 : Rohm Semiconductor
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