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GermanyHN1D02FU(T5L,F,T)
元器件型号详细信息
原厂型号
HN1D02FU(T5L,F,T)
摘要
DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
详情
二极管阵列 2 对共阴极 80 V 100mA 表面贴装型 SOT-563，SOT-666
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
二极管配置
2 对共阴极
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
80 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）
100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 100 mA
速度
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr)
4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 80 V
工作温度 - 结
125°C（最大）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6
基本产品编号
HN1D02
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
其它名称
HN1D02FU(T5LFT)CT
HN1D02FU(T5LFT)TR
HN1D02FU(T5LFT)DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/二极管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU(T5L,F,T)
相关文档
规格书
1(HN1D02FU)
EDA 模型
1(HN1D02FU(T5L,F,T) by Ultra Librarian)
价格
数量: 1
单价: $3.74
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : HN1D02FU,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 5
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
库存 : 5
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
型号 : UMN11NTN
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 22,666
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.42000
替代类型. : 类似
型号 : BAV70SRAZ
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 245
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
型号 : EMN11T2R
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 11,671
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 参数等效
库存 : 11,671
单价. : ¥3.42000
替代类型. : 参数等效