元器件型号详细信息

原厂型号
SQ3585EV-T1_GE3
摘要
MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 3.57A(Tc),2.5A(Tc) 1.67W 表面贴装型 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.57A(Tc),2.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
77 毫欧 @ 1A,4.5V,166 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.5nC @ 4.5V,3.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.67W
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
基本产品编号
SQ3585

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SQ3585EV-T1_GE3-ND
SQ3585EV-T1_GE3TR
SQ3585EV-T1_GE3DKR
SQ3585EV-T1_GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SQ3585EV-T1_GE3

相关文档

规格书
1(SQ3585EV)
PCN 设计/规格
1(SQ3585EV-T1_GE3 01/Feb/2023)
HTML 规格书
1(SQ3585EV)

价格

数量: 3000
单价: $17.14105
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $17.14105
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $18.2796
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 250
单价: $20.37192
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $21.4734
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 25
单价: $24.7772
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $26.21
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $29.17
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $17.14105
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
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数量: 250
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最小包装数量: 1
数量: 25
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最小包装数量: 1
数量: 10
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单价: $29.17
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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