SPB100N03S203T

元器件型号详细信息

原厂型号

SPB100N03S203T

摘要

MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3 毫欧 @ 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

150 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

7020 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

300W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

SPB100N

其它名称

SPB100N03S203XTINCT

SPB100N03S203XTINTR

SP000016260

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB100N03S203T

价格

数量: 1000

单价: $11.35652
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $12.80014
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $13.3773
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $14.723
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $17.01
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STB200NF03T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.51948
替代类型. : 类似

型号 : PSMN4R3-30BL,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥12.24000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN3R4-30BLE,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,770
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN2R7-30BL,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥14.95000
替代类型. : 类似

型号 : BUK763R4-30B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN3R4-30BL,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 87
单价. : ¥12.64000
替代类型. : 类似

800000160 LMH1219RTWR FW-25-05-F-D-410-075-ES ERA-3AEB392V MMF207FRE820R

SPB100N03S203T

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