FDT439N

元器件型号详细信息

原厂型号

FDT439N

摘要

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 6.3A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

48 周

EDA/CAD 模型

标准包装

4,000

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

6.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

45 毫欧 @ 6.3A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

500 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-223-4

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

基本产品编号

FDT439

相关信息

RoHS 状态

符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 (MSL)

1（无限）

REACH 状态

非 REACH 产品

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

其它名称

FDT439N-ND

FDT439NTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDT439N

相关文档

规格书

1(FDT439N)

环保信息

()

PCN 产品变更/停产

()

PCN 设计/规格

()

PCN 组装/来源

1(Mult Dev Assembly Chg 21/May/2020)

PCN 封装

1(Mult Devices 24/Oct/2017)

HTML 规格书

1(FDT439N)

EDA 模型

1(FDT439N by Ultra Librarian)

价格

数量: 28000

单价: $2.8139
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 12000

单价: $2.89768
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 8000

单价: $3.01087
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 4000

单价: $3.16934
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000

数量: 2000

单价: $3.16936
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.39575
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.30124
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.2067
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.674
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.45
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $3.16936
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

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最小包装数量: 1

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最小包装数量: 1

替代型号

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