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GermanyLSIC1MO120E0080
元器件型号详细信息
原厂型号
LSIC1MO120E0080
摘要
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
详情
通孔 N 通道 1200 V 39A（Tc） 179W（Tc） TO-247AD
原厂/品牌
Littelfuse Inc.
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Littelfuse Inc.
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1825 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
LSIC1MO120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-LSIC1MO120E0080
F10335
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Littelfuse Inc. LSIC1MO120E0080
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规格书
1(LSIC1MO120E0080 Datasheet)
视频文件
()
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(LSICMO120E0yy0 Manufacturing Facility/Minor Design 08/Jun/2020)
HTML 规格书
1(LSIC1MO120E0080 Datasheet)
EDA 模型
1(LSIC1MO120E0080 by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $118.7849
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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