元器件型号详细信息

原厂型号
SSM6P16FE(TE85L,F)
摘要
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 100mA(Ta) 150mW(Ta) ES6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
剪切带(CT)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11 pF @ 3 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
ES6
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
基本产品编号
SSM6P16

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SSM6P16FE(TE85LF)TR
SSM6P16FETE85LF
SSM6P16FE(TE85LF)CT
SSM6P16FE(TE85LF)DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE(TE85L,F)

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规格书
1(SSM6P16FE)

价格

-

替代型号

-