IPB180N06S4H1ATMA2

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB180N06S4H1ATMA2

摘要

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

180A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

1.7 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

270 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

21900 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

250W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-7

封装/外壳

TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）

基本产品编号

IPB180

其它名称

IFEINFIPB180N06S4H1ATMA2

2156-IPB180N06S4H1ATMA2

448-IPB180N06S4H1ATMA2CT

SP001028786

448-IPB180N06S4H1ATMA2TR

448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR

IPB180N06S4H1ATMA2-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA2

价格

数量: 2000

单价: $17.38845
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $18.3036
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $21.70284
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $25.4943
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $31.115
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $34.66
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $21.70284
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $25.4943
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $31.115
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $34.66
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

RCMT02261R0BES03 145245 RN73H2ATTD6340C10 18085A392KA14A HW-30-08-S-D-325-SM

IPB180N06S4H1ATMA2

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技术参数

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其它名称

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