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GermanyIGOT60R042D1AUMA2
元器件型号详细信息
原厂型号
IGOT60R042D1AUMA2
摘要
GANFET N-CH
详情
表面贴装型 N 通道 600 V PG-DSO-20-87
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-DSO-20-87
封装/外壳
20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP005557231
448-IGOT60R042D1AUMA2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IGOT60R042D1AUMA2
相关文档
环保信息
1(RoHS Certificate)
价格
-
替代型号
-